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Dispositif expérimental
Présentation générale
General description of our experiment, with links towards detailed articles on the different parts of the setup.
Le cryostat
Performances
Le cryostat est constitué de plusieurs étages à des températures différentes :
La jupe à Azote définit une première enveloppe thermalisée à 77 K ;
Le réservoir d’Hélium 4 liquide et la jupe associée définissent une deuxième enveloppe thermalisée à 4,2 K ; Toutes les expériences sont réalisée à cette température pour le moment
Nous avons prévu un étage supplémentaire avec un réfiégrateur à Hélium 3 pompé, qui permet d’atteindre des températures inférieures à 1 K
La garde à Azote a (...)
Une source d’atomes lents
As we cannot load the cryogenic MOT from the ridiculously low vapor pressure of Rb at 4K. We inject slow atoms from a beam into the cryostat. This beam is prepared in an external UHV chamber.
Cellule expérimentale
The beam from the 2D-MOT enters a 4He cryostat through a 10 mm diameter tube made of Nylon and stainless steel bellows with low thermal conductivity. The tube couples into an inner experimental cell cooled down to 4.2 K which has nearly no connection with the insulation vacuum of the cryostat, in order to benefit from the extremely efficient cryogenic pumping by its cold surfaces.
Réalisation de la puce
Our atom chip is made on a 65 mm×30 mm silicon wafer (thickness 360 μm) with a 500 nm insulating oxidized layer. It is coated by a 900 nm thick layer of Nb by cathodic plasma sputtering. A “U-wire” (width 280 μm) is used for the on-chip mirror-MOT, and a “Zwire” (width 40 μm) for the magnetic Ioffe-Pritchard trap.
